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技術參數(shù)

• 輸入電壓：±15 VDC。

• 輸出電壓：0-10 VDC。

• 測量范圍：10 mbar。

特點

• 精度較高：能夠精確測量微小的壓力差，適用于對壓力測量精度要求較高的場合，如半導體制造、真空鍍膜等領域。

• 穩(wěn)定性好：在長時間使用過程中，能夠保持穩(wěn)定的性能，輸出可靠的測量結果，減少了因傳感器性能波動而導致的測量誤差。

• 兼容性強：可與多種儀器設備配套使用，方便用戶進行系統(tǒng)集成和升級。

• 抗干擾能力強：采用先進的電路設計和屏蔽技術，能夠有效抵御外界電磁干擾，確保測量的準確性和穩(wěn)定性。

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應用領域

• 半導體制造：在半導體芯片生產(chǎn)過程中，需要精確控制反應室內(nèi)的壓力、氣體流量等參數(shù)，MKS 226A-30734 可用于測量和監(jiān)控這些參數(shù)，確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。

• 真空鍍膜：用于測量鍍膜設備中的真空度和氣體壓力差，幫助操作人員精確控制鍍膜工藝參數(shù)，提高鍍膜質(zhì)量和均勻性。

• 航空航天：在飛機的飛行控制系統(tǒng)、發(fā)動機測試等方面，可用于測量壓力差，為飛機的安全飛行和性能優(yōu)化提供重要的數(shù)據(jù)支持。

• 汽車制造：在汽車發(fā)動機的研發(fā)和生產(chǎn)過程中，可用于測量進氣壓力、燃油噴射壓力等參數(shù)，優(yōu)化發(fā)動機的燃燒效率和動力性能。

• XB2ED33C    

• XB2BVB3LC    

• XB7EA21C    

• XB2EA135    

• XB2ES542C    

• ZA2BW33C    

• ZB2BA3C    

• XB2EV456    

• ZB5AD2C    

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